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国产紫光集团进军DRAM领域 实现量产

时间:2019-09-19 01:49 来源: 作者:

本月初,紫光集团旗下长江存储正式宣布,其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。

虽然国产3D NAND已经取得了突破了,但是在DRAM内存芯片领域,国内依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晋华,由于遭遇美国 禁令 ,已长期处于停摆状态。

受此影响,硕果仅存的合肥亚洲必赢长鑫存储不得不小心翼翼,放慢节奏,强化合规,稳扎稳打。

根据最新的消息显示,目前合肥长鑫的DRAM研发进展顺利,已经提前进行机台安装,有望在今年年底顺利量产国产DRAM内存。

另外,紫光集团在3D NAND领域取得突破之后,也开始进军DRAM领域,力求在2021年量产。

长鑫存储:有望年底量产DDR4内存

2017年9月,国家大基金宣布入股国产存储芯片厂商兆易创新,取得约11%股权,成为了其第二大股东。随后,兆易创新宣布与合肥市产业投资控股集团签署合作协议,研发19纳米制程的12吋晶圆DRAM,预算为人民币180亿元,兆易创新出资20%。

目标是研发19nm工艺的DRAM内存,预计在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率不低于10%。

而该项目依托的就是合肥睿力集成,由长鑫集成控股,而长鑫集成则是长鑫存储的母公司。

相对于兆易创新来说,成立于2016年的长鑫存储还只是一家初创公司。但是,长鑫存储并不是从0开始,而是站在巨人的肩膀上前行。

在5月15日的GSA Memory+论坛上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明先生首次对外公开表示,长鑫存储的DRAM技术主要来自于已破产的德系DRAM厂商奇梦达。

朱一明也强调长鑫存储通过与奇梦达的合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。

长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上,利用专用研发线,展开世界速度的快速迭代研发,已持续投入晶圆超过15000片。

建立了严谨合规的研发体系并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进,开发出独有的技术体系,拉近了与世界先进水平的技术差距。

长鑫存储的DRAM项目总投资超过72亿美元,项目建设三期工程,一期建设的是12英寸晶圆厂,建成后月产能为12.5万片晶圆。

据朱一明介绍,长鑫存储花了14个月的时间就完成了晶圆厂建设,一共花费25亿美金用在研发和资本支出。

另外去年福建晋华由于与美光的专利纠纷,最终导致晋华被禁运,彻底停摆。而这也对长鑫存储造成了一定的影响。因此,长鑫存储也格外的低调,格外的重视研发的合规和IP策略。朱一明当时表示,长鑫存储已经拥有16000项专利申请。

资料显示,目前长鑫存储开发的是19nm工艺的DRAM内存芯片,去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品,今年三季度推出8Gb LPDDR4内存样品。

根据最新的消息显示,目前合肥长鑫的DRAM研发进展顺利,已经提前进行机台安装,有望在今年年底顺利量产国产DRAM内存,月产能将达到2万片晶圆,后续会不断提升到12.5万片晶圆/月的目标产能。

虽然长鑫存储的19nm 8Gb DDR4内存与美光、三星等公司的先进的第三代10nm工艺内存还有一两代的代差,但是量产推向市场还是可以的,因为市面上很多内存条也就是这个规格,用于制备单条8GB、16GB的内存条也没有问题。

可以说,这个起点还是非常高的,但后续的良率、产能提升才是关键。另外还需要加快缩小与美光、三星等DRAM厂商的技术差距。

根据长鑫存储去年透露DRAM项目规划就显示,长鑫存储计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。